ON Semiconductor FDG6304P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

410mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1999

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.1Ohm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

-25V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-410mA

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ω @ 410mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

62pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.5nC @ 4.5V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

-410mA

阈值电压

-820mV

栅极至源极电压(Vgs)

-8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.41A

漏源击穿电压

-25V

双电源电压

-25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

-820 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅