ON Semiconductor FDG6318P

生命周期状态

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触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

780MOhm

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-500mA

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

780m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

83pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.2nC @ 4.5V

上升时间

12ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

500mA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅