ON Semiconductor FDG6322C

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA 410mA

Turn Off Delay Time

55 ns

Number of Elements

2

已出版

2017

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

4Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

220mA

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 220mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.4nC @ 4.5V

上升时间

8ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

220mA

阈值电压

850mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

850 mV

宽度

1.25mm

长度

2mm

高度

1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅