ON Semiconductor FDMC8032L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

196mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

13 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

最大功率耗散

12W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N4

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5.5 ns

功率 - 最大

1.9W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

720pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

上升时间

1.2ns

下降时间（典型值）

1.3 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

3mm

宽度

3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅