ON Semiconductor FDMD82100L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-PowerWDFN

引脚数

12

质量

82.3188mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

12

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19.5m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1585pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 10V

上升时间

2.8ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏极-源极导通最大电阻

0.0195Ohm

漏源击穿电压

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

15 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant