ON Semiconductor FDME1034CZT

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

引脚数

6

质量

25.2mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.8A 2.6A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

33 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ESD PROTECTION

最大功率耗散

1.4W

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

600mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

66m Ω @ 3.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.2nC @ 4.5V

上升时间

4.8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

3.8A

阈值电压

700mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.4A

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

700 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

高度

500μm

长度

1.6mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant