ON Semiconductor FDMS3660S

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

171mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A 60A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.5W

终端形式

FLAT

基本部件号

FDMS3660S

JESD-30代码

R-PDSO-F6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

排水源头

接通延迟时间

7.7 ns

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 13A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.7V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1765pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 10V

连续放电电流(ID)

30A

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.5 V

反馈上限-最大值 (Crss)

70 pF

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

5.9mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅