FDMS8558SDC
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ON Semiconductor FDMS8558SDC

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型号

FDMS8558SDC

utmel 编号

1807-FDMS8558SDC

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V

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FDMS8558SDC ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS8558SDC MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 25 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.4 V

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FDMS8558SDC详情

ON Semiconductor FDMS8558SDC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 引脚数

    8

  • 质量

    90mg

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    51 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    89W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    41W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    8ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    25V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    90A

  • 阈值电压

    1.4V

  • JEDEC-95代码

    MO-240AA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    25V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    140A

  • 输入电容

    5.118nF

  • 雪崩能量等级(Eas)

    145 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    5.7mOhm

  • 最大rds

    1.5 mΩ

  • 高度

    1.05mm

  • 长度

    5.1mm

  • 宽度

    5.85mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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