ON Semiconductor FDPC5018SG
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FDPC5018SG
1807-FDPC5018SG
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerWDFN
大陆
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MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
--最小包装量--
FDPC5018SG详情
ON Semiconductor FDPC5018SG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
23 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerWDFN
引脚数
8
质量
207.7333mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
17A 32A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.1W
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
1W 1.1W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 17A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1715pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
32A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
17A
漏极-源极导通最大电阻
0.005Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
反馈上限-最大值 (Crss)
60 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDPC5018SG拓展信息









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