ON Semiconductor FDPC8014S

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

23 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

207.7333mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A 41A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.3W

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

2

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

功率 - 最大

2.1W 2.3W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.8m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2375pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

6ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

41A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

75A

雪崩能量等级（Eas）

73 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

750μm

长度

5.1mm

宽度

6.1mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant