ON Semiconductor FDS8949

工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

23 ns

Number of Elements

2

已出版

2006

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

29mOhm

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

6A

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

29m Ω @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

955pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 5V

上升时间

5ns

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

40V

双电源电压

40V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.9 V

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅