ON Semiconductor FDS9926A

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

6.5A

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

8 ns

功率 - 最大

900mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

上升时间

9ns

下降时间（典型值）

4 ns

连续放电电流(ID)

6.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏极-源极导通最大电阻

0.03Ohm

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1 V

长度

5mm

高度

1.5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅