注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.196143
10
¥5.845421
100
¥5.514545
500
¥5.202401
1000
¥4.907929
ON Semiconductor FDW2503N
- 收藏
- 对比
FDW2503N
1807-FDW2503N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
大陆
立即发货

MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2503N详情
ON Semiconductor FDW2503N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
24 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
21MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
600mW
额定电流
5.5A
功率耗散
1W
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
600mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
21mOhm @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1082pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
输入电容
1.082nF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
17mOhm
最大rds
21 mΩ
栅源电压
800 mV
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2503N拓展信息








哦! 它是空的。