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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.906444
10
¥7.458908
100
¥7.036704
500
¥6.638397
1000
¥6.26264
ON Semiconductor FDW2512NZ
- 收藏
- 对比
FDW2512NZ
1807-FDW2512NZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDW2512NZ详情
ON Semiconductor FDW2512NZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
1.6W
额定电流
6A
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
1.6W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
670pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
57ns
漏源电压 (Vdss)
20V
下降时间(典型值)
57 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
输入电容
670pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
28mOhm
最大rds
28 mΩ
高度
1mm
长度
3mm
宽度
4.4mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDW2512NZ拓展信息








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