FDY1002PZ
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ON Semiconductor FDY1002PZ

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型号

FDY1002PZ

utmel 编号

1807-FDY1002PZ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6

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FDY1002PZ
FDY1002PZ ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6

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FDY1002PZ详情

ON Semiconductor FDY1002PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 质量

    32mg

  • Number of Elements

    2

  • Turn Off Delay Time

    23 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    500mOhm

  • 最大功率耗散

    446mW

  • 终端形式

    FLAT

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    625mW

  • 接通延迟时间

    3.5 ns

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    500m Ω @ 830mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    135pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3.1nC @ 4.5V

  • 上升时间

    2.9ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • 下降时间(典型值)

    2.9 ns

  • 连续放电电流(ID)

    830mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.83A

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.2mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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FDY1002PZ拓展信息

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