ON Semiconductor FGB20N60SF

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

208W

终端形式

鸥翼

基本部件号

FGB20N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

208W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

最大击穿电压

600V

接通时间

28 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

123 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

65nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

13ns/90ns

开关能量

370μJ (on), 160μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

48ns

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant