ON Semiconductor FGH30S150P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.5kV

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

500W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

500W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

60A

JEDEC-95代码

TO-247AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1500V

接通时间

372 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

1080 ns

闸门收费

369nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

32ns/492ns

开关能量

1.16mJ (on), 900μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant