ON Semiconductor FGL40N120ANDTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

质量

6.756g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.15V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 40A, 5 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

500W

额定电流

64A

元素配置

Single

功率耗散

500W

输入类型

Standard

接通延迟时间

15 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

20ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

64A

反向恢复时间

112 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 40A

最大结点温度（Tj）

150°C

连续集电极电流

64A

关断时间-标准值（toff)

165 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

15ns/110ns

开关能量

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

高度

29mm

长度

20mm

宽度

5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅