ON Semiconductor FGPF4536
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FGPF4536
1807-FGPF4536
分立半导体产品
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 360V V(BR)CES, N-Channel
1最小包装量--
FGPF4536详情
ON Semiconductor FGPF4536重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
25.6 ns
Operating Temperature-Min
-55 °C
Turn-off Time-Nom (toff)
292 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FGPF4536
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.2
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大耗散功率(Abs)
28.4 W
集电极-发射器电压-最大值
360 V
栅极-发射极电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
1.8 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
4 V
FGPF4536拓展信息
ON Semiconductor
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