ON Semiconductor FJP3835TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

50W

额定电流

8A

元素配置

Single

增益带宽积

30MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 3A 4V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 300mA, 3A

集电极基极电压(VCBO)

200V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅