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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 FJP3835TU
FJP3835TU
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ON Semiconductor FJP3835TU

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型号

FJP3835TU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-FJP3835TU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 120V 8A TO-220

起订量

1最小包装量--

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FJP3835TU
FJP3835TU ON Semiconductor TRANS NPN 120V 8A TO-220

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FJP3835TU详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor FJP3835TU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    120V

  • hFEMin

    120

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    120V

  • 最大功率耗散

    50W

  • 额定电流

    8A

  • 元素配置

    Single

  • 增益带宽积

    30MHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    500mV

  • 最大集电极电流

    8A

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    120 @ 3A 4V

  • 最大集极截止电流

    100μA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    500mV @ 300mA, 3A

  • 集电极基极电压(VCBO)

    200V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    8V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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