HGT1S20N36G3VLS
HGT1S20N36G3VLS

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ON Semiconductor HGT1S20N36G3VLS

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型号

HGT1S20N36G3VLS

utmel 编号

1807-HGT1S20N36G3VLS

商品类别

分立半导体产品

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

HGT1S20N36G3VLS datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from ON Semiconductor stock available at utmel

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HGT1S20N36G3VLS
HGT1S20N36G3VLS ON Semiconductor

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HGT1S20N36G3VLS详情

ON Semiconductor HGT1S20N36G3VLS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    TO-263AB, 3 PIN

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Manufacturer Part Number

    HGT1S20N36G3VLS

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.66

  • Part Package Code

    D2PAK

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    汽车点火装置

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-263AB

  • 集电极电流-最大值(IC)

    37.7 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    355 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor HGT1S20N36G3VLS.

HGT1S20N36G3VLS拓展信息

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