ON Semiconductor HGTD3N60A4S
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HGTD3N60A4S
1807-HGTD3N60A4S
分立半导体产品
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Insulated Gate Bipolar Transistor
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HGTD3N60A4S详情
ON Semiconductor HGTD3N60A4S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
TO-252AA, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
17.5 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
180 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
HGTD3N60A4S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Rise Time-Max (tr)
15 ns
Risk Rank
5.13
Part Package Code
TO-252AA
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低导通损耗
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
最大耗散功率(Abs)
70 W
集电极电流-最大值(IC)
17 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
7 V
最大下降时间 (tf)
100 ns
HGTD3N60A4S拓展信息
ON Semiconductor
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