ON Semiconductor HUFA76413DK8T

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UltraFET™

JESD-609代码

e4

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2.5W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

4.8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 5.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

620pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

19ns

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

5.1A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅