ON Semiconductor KSA1625KBU

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

hFEMin

40

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

750mW

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

10MHz

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-400V

额定电流

-500mA

频率

10MHz

元素配置

Single

功率耗散

750mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

-400V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅