ON Semiconductor KSC3123RMTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

150mW

额定电流

50mA

频率

1.4GHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

150mW

功率 - 最大

150mW

增益带宽积

1.4 GHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V

增益

20dB ~ 23dB

电压 - 集射极击穿（最大值）

20V

最高频率

1.4GHz

频率转换

1.4GHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

噪音数字(分贝类型@ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅