ON Semiconductor MBT3904DW1T1
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MBT3904DW1T1
1807-MBT3904DW1T1
分立半导体产品
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Dual NPN Bipolar Transistor, SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD, 3000-REEL
--最小包装量--
MBT3904DW1T1详情
ON Semiconductor MBT3904DW1T1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Obsolete (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
引脚数
6
供应商器件包装
SC-88/SC70-6/SOT-363
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Base Product Number
MBT3904
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Collector-Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
hFEMin
40
Number of Elements
2
Voltage Rating (DC)
40 V
Manufacturer Lifecycle Status
OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
Package Description
CASE 419B-02, SC-88, SC70-6, 6 PIN
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 419B-02
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
300 MHz
Manufacturer Part Number
MBT3904DW1T1
Turn-on Time-Max (ton)
70 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Turn-off Time-Max (toff)
250 ns
Risk Rank
5.18
Part Package Code
SC-88
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
卷带
JESD-609代码
e0
无铅代码
有
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
150 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
额定电流
200 mA
频率
300 MHz
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
COMMERCIAL
极性
NPN
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
元素配置
Dual
功率耗散
150 mW
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
300 MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
40 V
最大集电极电流
200 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
最大集极截止电流
-
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
转换频率
300 MHz
最大击穿电压
40 V
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
6 V
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
40 V
无铅
含铅
MBT3904DW1T1拓展信息
ON Semiconductor
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