ON Semiconductor MCH6663-TL-W

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.8A 1.5A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

188m Ω @ 900mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

88pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

1.5A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.188Ohm

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 4V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅