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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.878145
10
¥2.715229
100
¥2.561543
500
¥2.416542
1000
¥2.279763
ON Semiconductor MCH6664-TL-W
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- 对比
MCH6664-TL-W
1807-MCH6664-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-SMD, Flat Leads
大陆
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ON SEMICONDUCTOR MCH6664-TL-W Dual MOSFET, Dual P Channel, -1.5 A, -30 V, 0.458 ohm, -4 V, -2.6 V
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MCH6664-TL-W详情
ON Semiconductor MCH6664-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, Flat Leads
引脚数
6
质量
7.512624mg
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
800mW
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
元素配置
Dual
功率耗散
800mW
接通延迟时间
4 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
325m Ω @ 800mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
82pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.2nC @ 10V
上升时间
3.3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
5.4 ns
连续放电电流(ID)
1.5A
阈值电压
-2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
场效应管特性
逻辑电平门
高度
850μm
长度
2mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MCH6664-TL-W拓展信息









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