ON Semiconductor MJD112-1
- 收藏
- 对比
MJD112-1
1807-MJD112-1
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, 3 PIN
1最小包装量--
MJD112-1详情
ON Semiconductor MJD112-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Transition Frequency-Nom (fT)
25 MHz
Manufacturer Part Number
MJD112-1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
摩托罗拉半导体产品
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MOTOROLA INC
Risk Rank
5.68
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
20 W
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
200
集电极-发射器电压-最大值
100 V
VCEsat-最大值
3 V
集电极-基极电容-最大值
100 pF
环境耗散-最大值
20 W
MJD112-1拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。