ON Semiconductor MJD127T4

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

Base Product Number

MJD12

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

ROHS COMPLIANT, DPAK-2/3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Part Package Code

TO-252

Risk Rank

0.39

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Samacsys Description

MJD127T4, Darlington Transistor, PNP 5 A 100 V HFE:100, 3-Pin, TO-252

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

STMicroelectronics

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

MJD127T4

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

Brand Name

STMicroelectronics

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.75 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 4A, 4V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-252

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

4MHz

最大耗散功率(Abs)

20 W

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

100 V

VCEsat-最大值

4 V

环境耗散-最大值

20 W