ON Semiconductor MJE200

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-126

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

25 V

hFEMin

70

Voltage Rating (DC)

25 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

MJE200

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

65 MHz

Manufacturer Part Number

MJE200

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

摩托罗拉半导体产品

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

MOTOROLA INC

Risk Rank

4.55

包装

Bulk

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

15 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

额定电流

5 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

1.5 W

功率 - 最大

15 W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

65 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

25 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-225AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

40 V

频率转换

65MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

发射极基极电压 (VEBO)

8 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

10

集电极-发射器电压-最大值

25 V

VCEsat-最大值

1.8 V

集电极-基极电容-最大值

80 pF

环境耗散-最大值

15 W

无铅

含铅