ON Semiconductor MJE350

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-126

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

30

Voltage Rating (DC)

-300 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

MJE350

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

TO-126, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

MJE350

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

STMicroelectronics

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

PNP power transistor,SOT32,MJE350 0.5A STMicroelectronics MJE350 PNP High Voltage Bipolar Transistor, 0.5 A 300 V, 3-Pin SOT-32

Ihs Manufacturer

STMICROELECTRONICS

Risk Rank

0.64

Part Package Code

SIP

包装

Bulk

操作温度

-

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-500 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

STMicroelectronics

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

20 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

-

JEDEC-95代码

TO-126

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

300 V

转换频率

3 MHz

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

3 V

最大耗散功率(Abs)

20 W

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

30

集电极-发射器电压-最大值

300 V

环境耗散-最大值

20.8 W

达到SVHC

无SVHC

无铅

含铅