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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.285792
10
¥1.213017
100
¥1.144355
500
¥1.07958
1000
¥1.018469
ON Semiconductor MMBT2369LT1
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- 对比
MMBT2369LT1
1807-MMBT2369LT1
分立半导体产品
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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200mA, 15V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMBT2369LT1详情
ON Semiconductor MMBT2369LT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
200 mA
Base Product Number
MMBT2369
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 318-08
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MMBT2369LT1
Turn-on Time-Max (ton)
12 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Turn-off Time-Max (toff)
18 ns
Risk Rank
5.12
Part Package Code
SOT-23
操作温度
-
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
225 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 10mA, 350mV
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-236AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
0.2 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
15 V
MMBT2369LT1拓展信息
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