ON Semiconductor MMBT2907ALT1
- 收藏
- 对比
MMBT2907ALT1
1807-MMBT2907ALT1
分立半导体产品
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MMBT2907ALT1 datasheet pdf and Discrete Semiconductor Products product details from ON Semiconductor stock available at utmel
--最小包装量--
MMBT2907ALT1详情
ON Semiconductor MMBT2907ALT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3 (TO-236)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
Base Product Number
MMBT2907
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Manufacturer Part Number
MMBT2907ALT1
Turn-on Time-Max (ton)
50 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
生命周期结束
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Turn-off Time-Max (toff)
110 ns
Risk Rank
5.38
操作温度
-
系列
-
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
225 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
200MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
60 V
MMBT2907ALT1拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。