ON Semiconductor MMBT6517LT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

hFEMin

20

Voltage Rating (DC)

350 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

CASE 318-08, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

MMBT6517LT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

6.05

Part Package Code

SOT-23

包装

卷带

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

500 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200 MHz

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

转换频率

200 MHz

集电极基极电压(VCBO)

350 V

最大耗散功率(Abs)

0.225 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

15

集电极-发射器电压-最大值

350 V

无铅

含铅