ON Semiconductor MMBTA06LT1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

100

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

MMBTA06

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

MMBTA06LT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.64

Part Package Code

SOT-23

包装

卷带

操作温度

-

系列

-

无铅代码

有

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

额定电流

500 mA

频率

100 MHz

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

300 mW

功率 - 最大

225 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

100nA

JEDEC-95代码

TO-236AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

100 MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

无铅

含铅