ON Semiconductor MMBTA56LT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

hFEMin

100

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-80 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Product Status

Obsolete

厂商

onsemi

Base Product Number

MMBTA56

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Package

Bulk

包装

卷带

系列

-

操作温度

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

额定电流

-500 mA

频率

50 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

300 mW

功率 - 最大

225 mW

增益带宽积

50 MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250 mV

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

50 MHz

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80 V

发射极基极电压 (VEBO)

4 V

无铅

含铅