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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 MMBTH81
MMBTH81
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ON Semiconductor MMBTH81

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型号

MMBTH81

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-MMBTH81

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MMBTH81 Series 20 V CE Breakdown .05 A PNP RF Transistor - SOT-23

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MMBTH81
MMBTH81 ON Semiconductor MMBTH81 Series 20 V CE Breakdown .05 A PNP RF Transistor - SOT-23

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技术参数

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ON Semiconductor MMBTH81重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    42 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    30mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    20V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    500mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    60

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2000

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 额定直流

    -20V

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 额定电流

    -50mA

  • 频率

    600MHz

  • 基本部件号

    MMBTH81

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    225mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    600MHz

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 晶体管类型

    PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    20V

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    60 @ 5mA 10V

  • 转换频率

    600MHz

  • 最大击穿电压

    20V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    3V

  • 最大结点温度（Tj）

    150°C

  • 连续集电极电流

    50mA

  • 集电极-基极电容-最大值

    0.85pF

  • 高度

    1.11mm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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