ON Semiconductor MPS3563

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

12V

最大功率耗散

350W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

50mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

850mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

1.5 GHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 8mA 10V

增益

14dB @ 200MHz

转换频率

1500MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

2V

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

1.7pF

噪音数字(分贝类型@ f)

6.5dB @ 60MHz

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅