ON Semiconductor MPSH81

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

195mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

-50mA

频率

600MHz

基本部件号

MPSH81

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 5mA 10V

转换频率

600MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

3V

连续集电极电流

50mA

集电极-基极电容-最大值

0.85pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅