ON Semiconductor MSC2295-BT1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

70

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

20V

最大功率耗散

200mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

30mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

30mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 1mA 10V

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

集电极-基极电容-最大值

1.5pF

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅