ON Semiconductor MUN5314DW1T1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

供应商器件包装

SC-88/SC70-6/SOT-363

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Base Product Number

MUN53

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 419B-02, 6 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 419B-02

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

MUN5314DW1T1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.42

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

385mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

80

电阻基(R1)

10kOhms

连续集电极电流

100

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms

集电极-发射器电压-最大值

50 V