ON Semiconductor NDS9952A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

230.4mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.7A 2.9A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

80MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

900mW

终端形式

鸥翼

额定电流

2.9A

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

320pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

21ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

3.7A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15A

双电源电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

1.7 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅