ON Semiconductor NGB18N40ACLBT4G
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NGB18N40ACLBT4G
1807-NGB18N40ACLBT4G
分立半导体产品
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Ignition IGBT, N-Channel, 18 A, 400 V, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
--最小包装量--
NGB18N40ACLBT4G详情
ON Semiconductor NGB18N40ACLBT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
430 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
115 W
元素配置
Single
无卤素
无卤素
集电极发射器电压(VCEO)
430 V
最大集电极电流
18 A
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
长度
10.29 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
NGB18N40ACLBT4G拓展信息
ON Semiconductor
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