ON Semiconductor NGB8206NSL3G
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NGB8206NSL3G
1807-NGB8206NSL3G
分立半导体产品
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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20A, 390V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
1最小包装量--
NGB8206NSL3G详情
ON Semiconductor NGB8206NSL3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
供应商器件包装
D²PAK
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
20 A
Base Product Number
NGB820
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
6500 ns
Manufacturer Package Code
CASE 418B-04
Turn-off Time-Nom (toff)
18500 ns
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NGB8206NSL3G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.59
Part Package Code
SFM
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Logic
功率 - 最大
150 W
晶体管应用
汽车点火装置
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 集射极击穿(最大值)
390 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V @ 4.5V, 20A
集电极电流-最大值(IC)
20 A
集电极-发射器电压-最大值
390 V
NGB8206NSL3G拓展信息
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