ON Semiconductor NGB8206NT4G

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NGB820

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

Voltage Rating (DC)

350 V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

6500 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

18500 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NGB8206NT4G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Littelfuse Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.15

系列

*

包装

Tape & Reel

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

电压箝位

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

20 A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

元素配置

Single

功率耗散

150

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

390 V

最大集电极电流

20 A

集电极电流-最大值(IC)

20 A

连续集电极电流

20

集电极-发射器电压-最大值

390 V

辐射硬化

无

无铅

无铅