NGB8206NTF4G
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ON Semiconductor NGB8206NTF4G

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型号

NGB8206NTF4G

utmel 编号

1807-NGB8206NTF4G

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

20A, 390V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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NGB8206NTF4G
NGB8206NTF4G ON Semiconductor 20A, 390V, N-CHANNEL IGBT, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

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NGB8206NTF4G详情

ON Semiconductor NGB8206NTF4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    D2PAK

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    20 A

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    6500 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    18500 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NGB8206NTF4G

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Littelfuse Inc

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    LITTELFUSE INC

  • Risk Rank

    5.15

  • 系列

    -

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Logic

  • 功率 - 最大

    150 W

  • 晶体管应用

    汽车点火装置

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    390 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.9V @ 4.5V, 20A

  • 集电极电流-最大值(IC)

    20 A

  • 连续集电极电流

    20

  • 集电极-发射器电压-最大值

    390 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor NGB8206NTF4G.

NGB8206NTF4G拓展信息

MJE5740
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PZT2907AT1
PZT2907AT1

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BCP56T1

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BCP56-16T1

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MJD45H11

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