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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 单个 NGTB30N135IHR1WG
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ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG

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型号

NGTB30N135IHR1WG

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NGTB30N135IHR1WG

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

In a Pack of 2, ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG IGBT, 60 A 1350 V, 3-Pin TO-247

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NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor In a Pack of 2, ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG IGBT, 60 A 1350 V, 3-Pin TO-247

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NGTB30N135IHR1WG详情

技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.35kV

  • Test Conditions

    600V, 30A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2015

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    394W

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    394W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    3V

  • 最大集电极电流

    60A

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    1350V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

    3V @ 15V, 30A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    220nC

  • 集极脉冲电流（Icm）

    120A

  • Td（开/关）@25°C

    -/200ns

  • 开关能量

    630μA (off)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NGTB30N135IHR1WG相似的参数规格。

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ISO13485
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