NGTB40N60L2WG
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ON Semiconductor NGTB40N60L2WG

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型号

NGTB40N60L2WG

utmel 编号

1807-NGTB40N60L2WG

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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NGTB40N60L2WG
NGTB40N60L2WG ON Semiconductor ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

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NGTB40N60L2WG详情

ON Semiconductor NGTB40N60L2WG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    38.000013g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2V

  • Test Conditions

    400V, 40A, 10 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2011

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    417W

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    417W

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    80A

  • 反向恢复时间

    73 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.61V @ 15V, 40A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    228nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    160A

  • Td(开/关)@25°C

    98ns/213ns

  • 开关能量

    1.17mJ (on), 280μJ (off)

  • 高度

    21.08mm

  • 长度

    16.26mm

  • 宽度

    5.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NGTB40N60L2WG相似的参数规格。

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NGTB40N60L2WG拓展信息

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FGH40N60UFDTU
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FGH40N60SMD
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ON Semiconductor

HGTG5N120BND
HGTG5N120BND

ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109
FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

HGTG20N60B3D
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ON Semiconductor

HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D

ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU
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ON Semiconductor

HGTG20N60A4D
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ON Semiconductor

HGTP5N120BND
HGTP5N120BND

ON Semiconductor

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